Новый механизм черенковского усиления спиновых волн дрейфующими носителями заряда в ферромагнитном полупроводнике

Исследовано влияние постоянного электрического поля на порог продольной накачки спиновых волн при 77 K в монокристаллах ферромагнитного полупроводника HgCr$_{2}$Se$_{4}$ $n$-типа с малым для этого класса материалов затуханием спиновых волн. Обнаружено уменьшение порога накачки в некотором интервале электрических полей, ширина которого зависит от магнитного поля. Этот эффект наблюдается в узком интервале магнитных полей и объясняется магнитоэлектрическим взаимодействием электронов проводимости со спиновыми волнами. Развита теория магнитоэлектрического затухания спиновых волн в условиях дрейфа носителей, и на ее основе рассчитаны зависимости порога продольной накачки от электрического поля для параметров, исследуемого образца. При разумном выборе двух подгоночных параметров эти зависимости удовлетворительно описывают экспериментальные результаты.