aНаучно-производственное объединение «Позитрон» bНаучно-исследовательский институт «Гириконд»
Аннотация:
Предлагается модель электронного строения реального оксида тантала. Показано, что флуктуации ближнего порядка в атомном строении материала приводят к возникновению в запрещенной щели оксида глубоких электронных состояний, по которым осуществляется прыжковый перенос электронов.