Электронно-зондовое профилирование градиентных гетероструктур на основе соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ методом отраженных электронов

Для градиентных гетероструктур на основе соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ в широком диапазоне толщин эпитаксиальных слоев в рамках диффузионной модели проведен расчет координатной зависимости сигнала отраженных электронов (ОЭ) при сканировании электронным зондом по сколу гетероструктуры. В расчете учтены координатное изменение плотности и среднего атомного номера эпитаксиальной пленки по толщине слоя, выход ОЭ с боковой поверхности (свободной поверхности эпитаксиального слоя); использован нелокальный источник ОЭ. Это позволяет получить закон распределения среднего атомного номера по толщине градиентного слоя при известной координатной зависимости сигнала ОЭ. Предложенный подход экспериментально апробирован на гетероструктурах GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с переменным по координате составом в широком диапазоне толщин эпитаксиальных слоев. Функция источника ОЭ аппроксимировалась гауссовским распределением, параметры которого определялись экспериментально. Получено хорошее согласие расчета с экспериментом.