Образование периодических структур дислокаций при лазерном воздействии на поверхность полупроводников

Обнаружено явление образования периодических структур дислокаций при воздействии мощного (${P\simeq100}$ Вт, ${\lambda=1.06}$ мкм) лазерного излучения на поверхность монокристалляческой пластины кремния. Дано теоретическое объяснение обнаруженного явления на основании развития дислокационно-деформационной неустойчивости. Выводы теории хорошо согласуются с результатами эксперимента.