Релаксация и накопление радиационных дефектов в эпитаксиальных слоях PbSe при $\alpha$-облучении

Исследовано влияние облучения $\alpha$-частицами с энергией ${\sim5}$ МэВ интегральными дозами до ${\Phi=2\cdot10^{12}\,\text{см}^{-2}}$ на изменение структурных характеристик пленок халькогенидов свинца. На дозовых зависимостях структурных параметров эпитаксиальных слоев выявлены две области: до доз $1\cdot 10^{11}\,\text{см}^{-2}$ (малые дозы) и ${> 2\cdot 10^{11}\,\text{см}^{-2}}$ (большие дозы). Если в области малых доз характерно улучшение параметров реальной структуры, то в области больших доз наблюдается значительный рост микронапряжений, мозаичности, плотности дислокаций, а также диспергирование слоя. Экспериментальные результаты объясняются конкурирующим влиянием при облучении процессов релаксации неравновесности и накопления радиационных дефектов.