Особенности люкс-интенсивностных характеристик экситонной люминесценции прямозонных полупроводников PbI$_{2}$ и CdSe при низких уровнях возбуждения

Исследованы зависимости интенсивности люминесценции $I_{\text{л}}$ свободных и связанных экситонов в прямозонных полупроводниках PbI$_{2}$ и CdSe от интенсивности возбуждения $I_{\text{в}}$ в диапазоне ${10^{11}{-}10^{19}\,\text{фотон}\cdot\text{см}^{-2}\cdot\text{с}^{-1}}$. Установлено, что при предельно малых значениях $I_{\text{в}}$ (${10^{11}{-}10^{15}\,\text{фотон}\cdot\text{см}^{-2}\cdot\text{с}^{-1}}$) эти характеристики описываются сверхлинейной зависимостью ${I_{\text{л}}\sim I_{\text{в}}^{\gamma}}$, причем $\gamma$ уменьшается с ростом $I_{\text{в}}$ в интервале ${2 >\gamma\geqslant1}$ и принимает значение ${\gamma\approx 1}$ при умеренных уровнях возбуждения (${10^{15}{-}10^{19}\,\text{фотон}\cdot\text{см}^{-2}\cdot\text{с}^{-1}}$). Предложена расчетная модель, учитывающая безызлучательную рекомбинацию на поверхности и неоднородное пространственное распределение электрон-дырочных ($e{-}h$) пар и описывающая экспериментальную ситуацию.