Расщепление линии дислокационного экситона в кристаллах с неравновесными дислокациями

Показано, что возникновение серий в спектрах фотолюминесценции кристаллов германия и кремния, приготовленных методом двухстадийной деформации, можно объяснить на основе представления о сдвиге энергетического уровня дислокационного экситона, находящегося на $90^{\circ}$ частичной дислокации, под влиянием деформационного поля соседней $30^{\circ}$ частичной дислокации. Получена формула, связывающая положения линий в сериях с дискретным набором расстояний между частичными дислокациями, который в свою очередь определяется постоянной решетки дефекта упаковки.