Вынужденное комбинационное рассеяние на дырках одноосно сжатого полупроводника

Проведен расчет порога вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР), обусловленного флуктуациями квадрупольного момента дырок при их переходах между расщепленными одноосным сжатием зонами $\Gamma_{8}$. Учтена квазиэнергетическая перенормировка спектра дырок в интенсивном лазерном поле и рассмотрено ее влияние на спектральные и поляризационные зависимости сечения рассеяния. Приведены оценки порога ВКР для Ge и InAs при накачке CO$_{2}$-лазером.