Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe

Теоретически и экспериментально исследована динамика экранирования внешнего электрического поля в полуизолирующих кристаллах ZnSe. Обнаружено, что в зависимости от температуры кристалла и условий его предварительного освещения процесс экранирования протекает в двух новых качественно различающихся режимах. В одном из них происходит расширение единственного обедненного слоя, во втором — формирование многочисленных слоев объемного заряда чередующихся знаков. Эти результаты объяснены в рамках простой модели, учитывающей наличие двух типов глубоких центров с различными временами перезарядки. Сравнение теории с экспериментом позволило определить ряд параметров, определяющих перенос заряда в ZnSe.