Экситоны с переносом заряда в слоистых полупроводниках

В спектрах фотопроводимости слоистых полупроводников InSe, GaSe и GaS в глубине края фундаментального поглощения обнаружены экситонные состояния, проявляющиеся в виде резких минимумов фототока. Большая энергия связи, малый боровский радиус, слабое участие в процессах фотопроводимости позволяют отнести их к типу экситонов с переносом заряда. Показано, что слоистая кристаллическая структура приводит к возможности существования двух различных типов экситонов в слоистых полупроводниках: \glqqобычных» экситонов Ванье$-$Мотта вблизи края поглощения и экситонов с переносом заряда в глубине поглощения.