Гиротропное протекание

Рассмотрена задача о спиральном (гиротропном) протекании, связанная с поведением электронной системы в сильных магнитных полях. Показано, что область значений концентрации дефектов около порога протекания, в которой действуют скейлинговые зависимости, в обсуждаемом случае аномально узка. Порог протекания оказывается выше, чем для стандартного изотропного протекания (т. е. при бо́льших значениях концентрации неиспорченных элементов структуры), а критический индекс корреляционной длины — меньше, чем обычно.