Протонная спин-решеточная релаксация в кристаллах NH$_{4}$IO$_{3}\cdot$ 2HIO$_{3}$ и KIO$_{3}\cdot$ 2HIO$_{3}$

В интервале температур 285$-$77 K исследована температурная зависимость времени $T_{1}$ протонной спин-решеточной релаксации (ПСРР) кристаллов NH$_{4}$IO$_{3}\cdot$ 2HIO$_{3}$ (AIH) и KIO$_{3}\cdot$ 2HIO$_{3}$ (KIH). Показано, что ПСРР в кристалле АIH контролируется реориентационным движением тетраэдров NH$_{4}$, что обеспечивает в исследованной области.температур изменение $T_{1}$ от 6.7 мс до 1.9 с. ПСРР в КIH интерпретируется как результат движения протонов в двухъямном потенциале водородных контактов: О $\overline{\ldots}$ Н $\overset{\displaystyle\underline{\displaystyle\cdots}}{\phantom{\ldots}}$ О выше температуры ${T_{c}=214}$ K структурного фазового перехода, О — Н$\,\ldots$ О при ${T<T_{c}}$. Этот механизм релаксации менее эффективен по сравнению с действующим в кристалле АIH: $T_{1}$ варьирует в интервале значений 2.5$-$55 с. При ${T<100}$ K следует учитывать туннельное движение протонов. Определены величины термоактивационных барьеров и температурные зависимости времени корреляции процессов, обусловливающих ПСРР в кристаллах АIH и КIH.