Пикосекундная спектроскопия свободных экситонов в кристаллах селенида галлия

Проведено экспериментальное изучение временных зависимостей полосы излучения свободных экситонов в чистых и содержащих 0.5 ат.% Zn и 0.2 ат.% Тl кристаллах слоистого полупроводника $\varepsilon$-GaSe при различных плотностях возбуждения. Определены времена образования и диссоциации свободных экситонов, равные для чистых кристаллов, взятых из различных партий роста, 50$-$120 и 450$-$600 пс соответственно. Показано, что при высоких плотностях излучения (${n>10^{16}}$ см$^{-3}$) время спада полос излучения легированных кристаллов определяется двухкомпонентной зависимостью. Время спада качественно объясняется образованием экситонных молекул.