Гиперкомбинационное рассеяние света от приповерхностного слоя полупроводника

Рассчитана дифференциальная интенсивность гиперкомбинационного рассеяния (ГКР) света колебаниями кристаллической решетки приповерхностного слоя полупроводника, в котором диэлектрическая проницаемость меняется по толщине плавным образом от положительного значения на границе с вакуумом до отрицательного значения на границе с полупроводником, переходя через нулевое значение. Подобная модель поверхности полупроводника с инверсией знака диэлектрической проницаемости является справедливой при наличии сильного искривления энергетических зон на границе полупроводника с вакуумом либо в случае сильно легированного полупроводника за счет неоднородности легирования на поверхности. Расчет ГКР произведен для случая, когда толщина приповерхностного переходного слоя много меньше длины волны излучения рассматриваемого оптического диапазона как для падающей, так и для рассеянной световых волн. Порядковая оценка величины усиления, произведенная на основе расчета, показывает, что для типичных кубических материалов усиление ГКР, обусловленное поверхностью, может в максимальном случае достигать шести порядков.