Спектроскопия нелинейного отклика GaAs, индуцированного генерацией свободных носителей

Методами пикосекундной интерферометрии и зондирования широкополосным пикосекундным континуумом выполнена спектроскопия нелинейного отклика GaAs, обусловленного генерацией свободных носителей при двухфотонном поглощении. В диапазоне ниже края поглощения установлена линейная связь индуцированного показателя преломления и концентрация носителей, близкая соотношению Друде. Вблизи края поглощения зарегистрирована значительная зависимость индуцированного коэффициента поглощения от динамики энергетической релаксации электрон-фононной системы GaAs. Показано, что время быстрого процесса релаксации индуцированного поглощения примерно соответствует времени ангармонического распада $LO$-фононов.