Экситоны и биэкситоны в квантоворазмерных микрокристаллах полупроводников, диспергированных в диэлектрической стеклянной матрице

Исследована зависимость энергии основного состояния пространственно-ограниченных экситонов и биэкситонов в квантово-размерных микрокристаллах от скачка диэлектрической проницаемости на границе полупроводник$-$стекло. Расчет, учитывающий вырождение валентной зоны, проводился в двух предельных случаях: малой и большой величины спин-орбитального расщепления валентной зоны $\Delta$ ($\Delta=0$ и $\Delta = \infty$). Показано, что в микрокристаллах малого размера суммарная энергия двух пространственно-ограниченных экситонов меньше, чем энергия пространственно-ограниченного биэкситона, что означает отрицательность \glqqэнергии связи» биэкситона. Скачок диэлектрической проницаемости на границе полупроводник-стекло ослабляет этот эффект для основного терма биэкситона (состояния с полным моментом дырок $J=2$ для $\Delta = \infty$ и $J=1$ для $\Delta=0$) и усиливает для возбужденных термов. Получены зависимости энергетических спектров пространственно-ограниченных экситонов и биэкситонов от радиуса микрокристалла для разных значений скачка диэлектрической проницаемости.