Резонансный характер вершины валентной зоны в кубических щелочноземельных оксидах

На основе расчетов в приближении кристаллического кластера проанализированы электронная структура и распределение электронной плотности в основном состоянии MgO, CaO, SrO и NaF. Показано, что в отличие от NaF в оксидах вершина валентной зоны формируется состояниями с положительной энергией относительно «muffin-tin»-нуля, которые частично связываются на анионах потенциальным барьером, возникающим в эффективном потенциале. Резонансное рассеяние электронов на этих состояниях приводит к появлению избыточного заряда в междоузельной области оксидов. Одновременно частично разряжаются анионы, и их зарядовое состояние приближается к O$^{-}$.