Структура эпитаксиальных пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$

Проведены исследования структуры пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$, выращенных лазерным и магнетронным методами на монокристаллических подложках SrTiO$_{3}$ и MgO с ориентацией поверхности (001), и границы раздела пленка$-$подложка. Показано, что при достаточно высоких давлениях кислорода безотжиговая методика позволяет получать эпитаксиальные монокристаллические пленки с ориентацией оси с перпендикулярно плоскости подложки. Величина кристаллографической разориентации вдоль оси $c$ в пленках, выращенных на титанате стронция и окиси магния, не превышает 13 и 19 угловых минут соответственно.