Ультразвуковые исследования фазовых переходов в слоистых кристаллах TlInS$_{2}$ и TlGaSe$_{2}$

Исследованы температурные зависимости скоростей распространения и поглощения ультразвуковых волн в слоистых полупроводниках TlInS$_{2}$ и TlGaSe. Полученные результаты интерпретированы на основе представлений о существовании в указанных кристаллах фазовых переходов в сегнетоэлектрическую соразмерную фазу через промежуточную несоразмерную.