Аннотация:
Теоретической обработкой низкочастотной области спектра комбинационного рассеяния света в кристалле 6H-SiC получена сверхзатухающая мода колебательного спектра с частотой ${\nu_{0}=235\pm10\,\text{см}^{-1}}$ и константой затухания ${\Gamma=450\pm20\,\text{см}^{-1}}$. Показано, что природа этой моды обусловлена смешанной упаковкой гексагональных и кубических атомных слоев кристаллической решетки. Длина затухания наблюдаемой моды, по оценкам, составляет 6$-$10 Å (3$-$4 слоя).