Спектральное распределение поляризации оптически ориентированных фотоносителей в полупроводниках при индуцированных рекомбинационных оптических переходах

Изучены энергетическое распределение степени ориентации электронов в полупроводнике и спектральное распределение поляризации фотонов рекомбинационного излучения в условиях оптической ориентации фотоносителей при переходе от режима спонтанной люминесценции к режиму стимулированного излучения. Численное решение связанных нелинейных уравнений для распределения по энергии электронов, с различным направлением спина и фотонов различной циркулярной поляризации показывает, что с ростом уровня возбуждения максвелловское распределение электронов и фотонов при не зависящей от энергии степени ориентации электронов и степени поляризации фотонов постепенно сменяется насыщением распределений электронов и фотонов в области энергий, где происходят стимулированные излучательные переходы. Насыщение электронного распределения определяется потерями фотонов в образце, насыщение спектрального распределения фотонов — процессами диффузии электронов по энергии; поляризация фотоносителей и фотонов в этой области энергий стремится к нулю. Показано, что экспериментальное изучение спектральных распределений электронов и фотонов дает информацию о скорости диффузии носителей тока по энергии и роли процессов неупругого рассеяния.