Нелинейное релаксационное поглощение ультразвука в полупроводниках в режиме прыжковой проводимости

Рассмотрено нелинейное поглощение звука в слабо легированных и некристаллических полупроводниках при низких температурах, когда за поглощение ответственны прыжки электронов между локализованными состояниями. При достаточно низких температурах указанный вклад может превышать вклад свободных носителей. Проанализированы зависимости поглощения звука от его частоты, интенсивности, а также от температуры. Рассмотрено влияние на поглощение магнитного поля. Показано, что рост магнитного поля приводит к уменьшению поглощения, причем критическая интенсивность нелинейности также зависит от поля. Зависимости поглощения от поля и интенсивности звука позволяют выделить прыжковый механизм на фоне других механизмов неэлектронного происхождения.