Спектр электронных состояний в ультратонких аморфных сверхрешетках Si/SiO$_{2}$

Исследована структура электронных состояний, обусловленная пространственным квантованием в аморфных сверхрешетках Si/SiO$_{2}$ с толщиной слоев ${<10}$ Å. Обнаружено от двух до трех энергетических подзон носителей, возникающих из-за размерного квантования в области разрешенных состояний кремния. Энергетическое положение подзон немонотонно зависит от толщины слоя кремния в сверхрешетке.