Кластерное моделирование электронной структуры кристаллов CsCl, CsBr, CsI

Представлены результаты расчетов электронной структуры идеальных кристаллов CsCl, CsBr, CsI самосогласованным методом рассеянных волн (ССП$-$РВ). Впервые использован ряд методических улучшений ССП$-$РВ метода в описании структуры заполненных зон. Сравнение полученных результатов с экспериментом и зонными расчетами позволило получить, с одной стороны, новую информацию о структуре зон исследуемых кристаллов, а с другой — оценить корректность использования кластерного приближения в данном классе объектов.