Аннотация:
Из сравнения сверхпроводников на основе висмутатов и полупроводников A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$, легированных элементами III$^{\text{б}}$ группы, а также купратных сверхпроводников следует, что 1) двухэлектронные квазилокализованные состояния, образующиеся при диспропорционировании $s^{1}$-ионов ($2s^{1}\to s^{0}+s^{2}$), могут стимулировать сверхпроводимость; 2) для образования сверхпроводящего состояния в висмутатах и полупроводниках A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$ нужно, чтобы уровень Ферми располагался внутри полосы двухэлектронных состояний, т. е. чтобы были ионы и $s^{0}$, и $s^{2}$ в более или менее равной концентрации. Однако важно, чтобы эти ионы не образовывали структуру с дальним или ближним порядком, при котором плотность двухэлектронных состояний на уровне Ферми уменьшается и может быть равной нулю; 3) одноэлектронные (зонные) носители тока необходимы, так как помогают ликвидировать щель в спектре двухэлектронных состояний; 4) хотя механизм образования пар в висмутатах и в слоях CuO$_{2}$ купратов различен, образование квазилокализованных пар в слоях TlO или BiO высокотемпературных купратов облегчает обмен парами между слоями CuO$_{2}$.