Стабилизация поляризации и повышение трещиностойкости кристаллов триглицинсульфата радиационными дефектами

Методами НЖК и индентирования показано, что процессы стабилизации поляризации и повышения трещиностойкости кристаллов ТГС при облучении рентгеновскими лучами и низкоэнергетическими электронами качественно аналогичны. Величины порогового поля процесса переполяризации $E_{\text{п}}$ и критического размера трещины $c^{*}$ с глубиной проникновения излучения в кристалл уменьшаются по экспонентам, коэффициенты ослабления которых изменяются на расстоянии 3.3 мкм от облученной поверхности для пучка электронов и 2 мм — для рентгеновских лучей. Обнаружено, что при облучений кристалла ТГС наряду с точечными формируются сложные крупномасштабные радиационные дефекты, происходит десорбция фрагментов структуры с поверхности и по границам блоков ростовой блочной структуры.