Влияние заряда глубокого центра на оптические переходы в валентную зону II. Сравнение с экспериментом

Исследовано влияние зарядового состояния глубокого примесного центра и электрон-фононного взаимодействия на спектральную и температурную зависимости сечения фотоионизации дефекта. Показано, что учет совместного влияния этих двух факторов позволяет объяснить наблюдаемый длинноволновый край примесного поглощения без привлечения эмпирических формул типа правила Урбаха.