Прыжковая проводимость в кристаллах NaBi(MoO$_{4})_{2}$

Исследованы температурно-частотные зависимости полной проводимости $\sigma= \sigma' + i\sigma''$ монокристаллов NaBi(MoO$_{4})_{2}$ в интервале $f=5\cdot 10^{2}{-}10^{7}$ Гц при температурах 290$-$750 К, а также ВАХ при различных температурах. Характерные особенности поведения $\sigma$, в частности наблюдаемые зависимости $\sigma' \sim f^{8}T^{l}$, $\sigma'' > \sigma'$, а также низкие значения эффективной подвижности носителей, вычисленные по данным ВАХ, и ее экспоненциальная зависимость от температуры позволяют предположить прыжковую природу проводимости в исследуемом материале.