Об идентификации симметрии глубокого уровня по спектральной зависимости сечения фотоионизации

Показано, что наличие резкого максимума в спектральной зависимости сечения фотоионизации дефекта с глубоким уровнем при переходах в валентную зону прямозонных полупроводников A$^{3}$B$^{5}$ является следствием того, что глубокое состояние имеет симметрию $A_{1}$. Обсуждается возможность использования этого факта для идентификации глубоких $A_{1}$-состояний.