Радиационное дефектообразование в пластически деформированном KBr

Оптическими методами исследовано создание дефектов после деформации при 300 K путем одноосного сжатия кристаллов KBr. Обнаружены обусловленные деформацией полосы поглощения и излучения, которые интерпретированы как результат создания и излучательного распада экситоноподобных возбуждений, локализованных около бивакансий (6.45 и 2.8$-$2.9 эВ соответственно) и квартетов вакансий (6.6 и 3.4 эВ). Исследована эффективность радиационного дефектообразования при разных температурах в предварительно деформированных при 300 K кристаллах KBr. Обнаружено, что при облучении рентгеновскими лучами ($X$-облучение) при 4.2 K она уменьшается, при 80 K изменяется незначительно, а при 300 K существенно возрастает по отношению к недеформированному кристаллу. Уменьшение эффективности при 4.2 K объясняется захватом подвижных экситонов на дефектах деформации, а возрастание при 300 K — увеличением эффективности локализации $H$-центров на этих же дефектах. Изучена природа галогенных радиационных дефектов в деформированном KBr.