Определение энергий образования и миграции перегиба по данным о подвижности дислокации в InSb

Уточняется развитая ранее теория подвижности дислокации в решетке с большими барьерами Пайерлса для случая относительно небольшой энергии перегиба. Полученные соотношения можно использовать для приближенной оценки энергии образования $U_{0}$ и миграции $W_{m}$ перегиба по данным о подвижности длинных дислокаций в достаточно совершенных кристаллах. Применительно к InSb получено: $U_{0} \sim 0.1$, 0.2 эВ, $W_{m} = 0.7$, 0.8 эВ у $\alpha$- и $\beta$-дислокаций соответственно. Малым $U_{0}$ отвечают более широкий спектр значений $m$ в соотношении $v\,\propto \,\sigma^{m}$ и более узкий интервал напряжений $\sigma$, при которых теория справедлива.