Влияние Ge на скорость прыжков донорных электронов в твердом растворе Si$-$Ge

Изучено влияние атомов изовалентной примеси Ge на свойства донорных электронов, принадлежащих кластерам фосфора в приповерхностных, обогащенных фосфором, слоях твердого раствора Si$-$Ge. Показано, что рассеяние донорных электронов на атомах Ge увеличивает скорость прыжкового движения электрона от кластеров к одиночным донорам $\tau_{sd}^{-1}$ и скорость обратного прыжка $\tau_{ds}^{-1}$, так что $\tau_{sd}^{-1}$ пропорциональна $\sqrt{N_{\text{Ge}}}$, а $\tau_{ds}^{-1}$ пропорциональна $N_{\text{Ge}}$, где $N_{\text{Ge}}$ — концентрация Ge.