Диэлектрические свойства кристалла $\alpha$-KIO$_{3}\cdot$ HIO$_{3}$ в области сегнетоэлектрического фазового перехода

Исследованы температурные и полевые зависимости диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ и потерь сегнетоэлектрического кристалла $\alpha$-KIO$_{3}\cdot\,$HIO$_{3}$ в области фазового перехода (ФП) второго рода. Показано, что полидоменное состояние сегнетоэлектрического кристалла обусловливает отклонение температурной зависимости $\varepsilon(T)$ от закона Кюри$-$Вейсса в сегнетофазе. Для объяснения экспериментальных результатов предложен теоретический подход, учитывающий вклады в $\varepsilon$ от доменов разной полярности, находящихся в электрическом поле. Результаты теоретического анализа имеют общий характер, что позволяет применить их для интерпретации аналогичных свойств других сегнетоэлектриков, например кристаллов группы дигидрофосфата калия (KDP).