Генерация и кинетика выхода фото- и Оже-электронов в полупроводниках под действием рентгеновских лучей

Настоящая работа посвящена теоретическому и экспериментальному анализу механизма непрямого возбуждения мягких Оже-электронов за счет электронной ионизации атомов на примере кристалла Ge, облучаемого MoK$_{\alpha}$-излучением. Подробно рассмотрен процесс генерации этих Оже-электронов, приведено решение кинетического уравнения для электронов, а также экспериментальные данные, подтверждающие решающую роль непрямых процессов в генерации мягких Оже-электронов.