Строение энергетических зон кристалла La$_{2}$O$_{3}$ при наличии $F^{+}$-, $F$-центров

Приведены кластерные расчеты электронной структуры идеальных кристаллов La$_{2}$O$_{3}$ и $F^{+}$-, $F$-центров в них. Расчеты проводились методом рассеянных волн (ССП$-$РВ) в приближениях кристаллического и внедренного кластера. Использована полуэмпирическая схема коррекции погрешности функционала локальной плотности в оценке $E_{g}$ для идеального кристалла в рамках принятой схемы внедрения кластера в кристалл. Обсуждаются проблемы сходимости результатов в зависимости от размера кластеров и размерности используемого базиса. Полученные данные о структуре заполненных зон кристалла La$_{2}$O$_{3}$ хорошо согласуются с экспериментальными данными. Рассчитаны возможные энергии поглощения $F^{+}$- и $F$-центров в приближении ФЛП. Сделан вывод о возможной гибридизации возбужденных состояний $F^{+}$-, $F$-центров с $4f$-состояниями La, формирующими дно зоны проводимости в идеальном кристалле La$_{2}$O$_{3}$.