Статистическое взаимодействие электронов с дефектами и переход кристалла в суперионное состояние

Определен необходимый для реализации суперионного перехода характер расположения локальных электронных уровней на дефектах. Получены условия перехода от собственной к собственно-дефектной электронной проводимости как в нормальном, так и в суперионном состояниях. Предложенный подход позволяет интерпретировать экспериментальные данные об изменении концентрации и типа свободных носителей при суперионном фазовом переходе, температуры перехода при подсветке образца.