Аномальный гистерезис в несоразмерной фазе собственных сегнетоэлектриков Sn$_{2}$P$_{2}$(Se$_{x}$S$_{1-x}$)$_{6}$

Исследованы особенности аномального температурного гистерезиса диэлектрической проницаемости $\varepsilon'$ в несоразмерной (НС) фазе собственных сегнетоэлектриков Sn$_{2}$P$_{2}$(Se$_{x}$S$_{1-x}$)$_{6}$, на $T{-}x$ диаграмме которых имеется точка Лифшица. Установлено, что аномальный гистерезис обусловлен закреплением волны поляризации на дефектах кристаллической решетки. Наличие гистерезиса вплоть до высокотемпературной границы НС фазы $T_{i}$ является следствием сильного пининга. В высокоомных кристаллах Sn$_{2}$P$_{2}$Se$_{6}$, для которых роль свободных носителей заряда в экранировании доменной структуры незначительна, после перевода образца из полидоменного состояния в сегнетоэлектрической фазе в НС фазу наблюдается дополнительный релаксирующий вклад в аномальный гистерезис.