Спектры спиновых переходов мелких доноров в полумагнитных полупроводниках

Развит подход для описания спектров спиновых переходов мелких доноров в полумагнитных полупроводниках при любых концентрациях магнитной примеси. Данный подход, основанный на использовании статистической теории формы линии магнитного резонанса, позволил установить минимальную концентрацию магнитной примеси $n_{l}\approx 0.5 a_{0}^{-3}$ ($a_{0}$ — радиус основного состояния мелкого центра), при котором положение пика резонанса $E_{m}$ еще описывается в приближении среднего обменного поля, и максимальную концентрацию $n_{l}=0.03 a_{0}^{-3}$ ограничивающую применимость приближения ближайшего соседа для описания $E_{m}$. Выполненные в работе численные расчеты $E_{m}$ представлены графически и с помощью простой аппроксимирующей функции, описывающей переход к приближению среднего поля при $n_{l}a_{0}^{3}\gg 1$. В работе получили корректное количественное описание эксперименты по спин-флип-комбинационному рассеянию на мелких донорах в Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$S и ЭПР мелких доноров в ZnS : Mn.