Процессы токопрохождения сквозь туннельно-прозрачный диэлектрик ПТДП-структуры

Исследованы механизмы токопереноса в структурах высоколегированный ($10^{19}$ см$^{-3}$) $p^{+}$-поликремний$-$туннельно-прозрачный слой SiO$_{2}{-}p$-кремний. Толщина выращенного по низкотемпературной технологии бездефектного туннельно-тонкого окисла варьировалась от 20 до 52 Å. При ${T=77}$ K прямые вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур в области ограничения тока туннельной проводимостью диэлектрика имеют резко выраженный пороговый характер, что связано с переходом приповерхностной области полупроводника в состояние обогащения. При этом основные носители (дырки) туннелируют из аккумуляционного дырочного слоя через окисел в $p^{+}$-поликремний. Наблюдаемое сильное уменьшение наклона ВАХ с ростом толщины окисла главным образом связано с уменьшением вероятности туннелирования.