Излучательная рекомбинация в короткопериодических аморфных сверхрешетках Si/SiO$_{2}$

Исследованы спектры ФЛ и ВФЛ короткопериодических (${\leqslant 20}$ Å) сверхрешеток (СР) $a$-Si/SiO$_{2}$ при непрерывном и пикосекундном лазерном возбуждении. Наблюдается существенное увеличение (в $\simeq 10^{4}$ раз) интенсивности примесной люминесценции (2.1 эВ) $a$-SiO$_{2}$ в СР по сравнению с отдельными слоями $a$-SiO$_{2}$, обусловленное переносом возбужденных носителей между слоями СР. Обнаружена люминесценция при переходах между первыми и вторыми подзонами $c$- и $v$-зон слоев $a$-Si в СР. Релаксация возбужденных носителей между подзонами одной зоны не наблюдается. Обнаружена рекомбинация носителей с участием состояний подзон слоев $a$-Si и примесных состояний $a$-SiO$_{2}$. Доказательств влияния квантоворазмерных эффектов на глубокие примесные состояния в $a$-SiO$_{2}$ не обнаружено. Быстрая безызлучательная рекомбинация в слоях $a$-Si CP приводит к отсутствию люминесценции этих слоев при непрерывном возбуждении.