Форма линии связанного экситона в пьезоэлектрическом полупроводниковом твердом растворе

Рассчитана плотность состояний экситона, связанного на изоэлектронной ловушке, с учетом пьезоэлектрического эффекта, вызванного внутренними микродеформациями в твердом растворе полупроводника. Показано, что возникающее дополнительное электрическое поле приводит к образованию системы энергетических уровней связанного экситона в случае твердого раствора Ga$_{1-x}$In$_{x}$P и к модуляции ширины спектральной линии в GaAs$_{x}$P$_{1-x}$.