Сдвиг края оптического поглощения в сильно легированной полупроводниковой пленке

На основе анализа критерия применимости приближения «искривленных зон» для сильно легированной полупроводниковой пленки с учетом отклонения потенциала примеси от кулоновского делается заключение о различном поведении края полосы оптического поглощения в зависимости от соотношения эффективных масс тех зон, между которыми изучаются переходы. В случае полностью компенсированной примесной пленки учтено, что в рассматриваемой системе встречаются флуктуации потенциала с различными линейными размерами и амплитудными значениями. Получены выражения для термической и оптической ширин запрещенной зоны, описывающие их качественные зависимости от параметров задачи.