ЭПР возбужденного триплентого состояния дивакансии в кремнии

В чистых высокоомных кристаллах кремния, облученных электронами с энергией 1 МэВ, обнаружены новые спектры ЭПР Si-$PT4$ и Si-$PT5$. Эти спектры наблюдаются по изменению при магнитном резонансе микроволновой фотопроводимости образцов и возникают от радиационных дефектов, находящихся при освещении кристаллов в возбужденных триплетных состояниях. На основе анализа угловой зависимости спектра Si-$PT5$ и сверхтонкой структуры, обусловленной ядрами ${}^{29}$Si, сделан вывод, что спектр Si-$PT5$ связан с возбужденным триплетным состоянием дивакансии.