Гашение экситонной люминесценции горячими электронами в GaAs

При исследовании кинетики поляритонной фотолюминесценции в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs обнаружен эффект гашения люминесценции следующим импульсом фотовозбуждения. Зависимости эффекта от энергии люминесценции, энергии и интенсивности возбуждения указывают на то, что эффект связан с разогревом поляритонов за счет их взаимодействия с горячими электронами, возникающими при фотовозбуждении.