Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериодных сверхрешетках

Исследована зависимость спектров низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AlAs от уровня возбуждения. Установлена взаимосвязь между толщинно-слоевыми параметрами сверхрешеток, особенностями их фотолюминесценции и энергетической структурой электронного спектра. Показано, что повышение уровня возбуждения до (${L\approx1\,\text{МВт/см}^{2}}$) в случае сверхрешеток II типа приводит к включению нового канала излучательной рекомбинации из $\Gamma$-минимума зоны проводимости.