Аннотация:
В рамках простой модели дислокационного энергетического спектра рассмотрены взаимодействия дислокационных электронов и экситонов с дислокационными оптическими и делокализованными акустическими фононами в полупроводниках. Полученные гамильтонианы взаимодействия использованы при вычислении вероятностей простейших релаксационных процессов в подсистеме дислокационных экситонов.
Полный текст:
PDF файл (1104 kB)