Несоразмерная фаза в полупроводниках

Рассмотрено образование несоразмерной фазы в полупроводниках. Показано, что освещение влияет на характеристики несоразмерной фазы путем изменения неравновесной концентрации электронов на уровнях прилипания. Проанализирована экспериментальная ситуация в Sn$_{2}$P$_{2}$(S$_{1-x}$Se$_{x})_{6}$, особенностью которой является близость к трикритической точке и точке Лифшица. Это позволяет наблюдать при освещении резкое изменение температурной области существования несоразмерной фазы и генерацию несоразмерной фазы в системах, в которых она обычно не наблюдается. Предложен новый подход к описанию эффектов памяти в несоразмерной фазе, основанный на влиянии концентрации электронов на уровнях прилипания на фазовый переход. Показано, что при термостабилпзации в определенной температуре неоднородное распределение концентрации электронов на уровнях прилипания запоминается кристаллом и при последующем возвращении в эту температуру система вспоминает свое состояние.