Особенности радиационного окрашивания нелинейных кристаллов при пониженных температурах

Исследована природа радиационных центров поглощения в нелинейных кристаллах KDP, DKDP и LiIO$_{3}$ в диапазоне температур 298$-$77 К. Полученные данные свидетельствуют об образовании в облученных $\gamma$-квантами при 77 К нелинейных кристаллах радиационных дефектов, нестабильных при комнатной температуре. В KDP и DKDP — это дырочные центры на немостиковом кислороде в структурной группировке PO$_{4}$. С ними связана полоса поглощения 460 нм. В LiIO$_{3}$ при 77 К возникает дефект IO$_{3}^{-}$, дающий полосу поглощения 350 нм. При больших дозах облучения он трансформируется, захватывая электрон, в IO$_{3}^{2-}$. Центр IO$_{3}^{2-}$ стабилен и при комнатной температуре.