Овальные дефекты в субмикронных слоях GaAs и AlGaAs, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией

В субмикронных слоях GaAs и AlGaAs выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, методами количественной растровой микроскопии исследованы овальные дефекты. По морфологическим признакам овальные дефекты классифицированы как $\alpha_{3.4}$ (GaAs) и $\alpha_{5}$ (AlGaAs). Установлено, что рост овальных дефектов стимулируется избытком Ga. На основании данных рентгеновского микроанализа показано, что количественное содержание элементов в овальных дефектах $\alpha_{3,4}$, $\alpha_{5}$ не отличается от содержания этих элементов в слое. Микрокатодолюминесцентные исследования и измерения в режиме наведенного тока обнаружили электрическую и рекомбинационную неоднородность, вносимую $\alpha_{3,4}$-дефектами в слой GaAs. Показано, что $\alpha_{3,4}$-дефекты являются активными геттерами Si, вводимого в качестве легирующей примеси.