Резонансное экситонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике

Теоретически исследовано резонансное экситонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике. Предварительно найден спектр экситонов вариационным методом. Рассмотрены экситонное комбинационное рассеяние света (КРС) без участия фононов и однофононное КРС. На примере Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te сделаны оценки сечений рассеяния и показано, что однофононный отклик дает вклад в сечение по порядку малости $\alpha_{\text{э}}$ ($\alpha_{\text{э}}$ — фрелиховская константа связи). Получены формулы для резонансной частоты и порога, который возникает при однофононном процессе. Форма линии резонансного экситонного КРС, когда участвуют основные состояния экситонов. оказалась лоренцевской, в то время как при однофононном повторении форма линии нелоренцевская.